[发明专利]层压陶瓷电子零件的制造方法有效

专利信息
申请号: 03103410.1 申请日: 2003-01-28
公开(公告)号: CN1435856A 公开(公告)日: 2003-08-13
发明(设计)人: 太田哲彦;山口弘道 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01G4/005 分类号: H01G4/005;H01G4/12;H01G13/00;C04B35/64
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱丹
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种可防止由用作内部电极的Ni电极的氧化导致的结构缺陷,并可抑制内部电极的球化的层压陶瓷电子零件的制造方法。层压陶瓷电子零件(10)包括由陶瓷层(14)和Ni内部电极(16)构成的陶瓷素体(12)。在陶瓷素体(12)的对向端面上,形成连接在内部电极(16)的外部电极(18、20)。在制作陶瓷素体(12)时,在陶瓷生片上涂布含有Ni的电极糊剂,将陶瓷生片层压、切断后,再进行烧成。这时,将内部电极烧结开始前的氧气分压P1的范围设定在logP1<-15。另外,在将2Ni+O22NiO的平衡氧气分压设为P3(atm)时,将内部电极烧结开始后的氧气分压P2的范围设定在1.1×logP3≤logP2≤logP3。
搜索关键词: 层压 陶瓷 电子零件 制造 方法
【主权项】:
1.一种层压陶瓷电子零件的制造方法,其中作为内部电极形成有Ni电极,其特征在于:包括准备层压由含Ni的电极材料形成内部电极图案的陶瓷生片而成的层压体的工艺、及烧成所述层压体的工艺;所述内部电极图案的烧成开始前的烧成气氛的氧气分压P1(atm)在logP1<-15范围,并且将2Ni+O22NiO的平衡氧气分压设为P3(atm)时,所述内部电极图案的烧成开始后的烧成气氛的氧气分压P2在1.1×logP3≤logP2≤logP3范围内,其中logP1<0,logP2<0,logP3<0。
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