[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 03103349.0 申请日: 2003-01-24
公开(公告)号: CN1441490A 公开(公告)日: 2003-09-10
发明(设计)人: 青野勉;岡田喜久雄 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/60;H01L21/768;H01L29/80
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 罗亚川
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及半导体装置及其制造方法。在已有的半导体装置的制造方法中,因为用引线接合法使导线与半导体器件表面的电极连接,所以存在着由引线接合法引起的冲击对半导体器件产生恶劣影响的课题。在本发明的半导体装置的制造方法中,将具有在一端共同支持与半导体器件32表面的电极对应的多个安装部分382,392的支持部分381,391的导电板38,39作为外部配线进行粘结。通过这样做,能够完全省略在半导体器件32表面上的引线接合法作业,能够消除由于引线接合法引起的对半导体器件32的冲击。又,在导电板上形成缓冲部分,由于这个缓冲部分能够灵活地应付设计误差等,从而能够提高作业性。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,它的特征是它具备具有至少一个主表面,并具有从设置在上述主表面上形成的绝缘层中的多个孔分别露出一部分的多个电流通过电极和控制电极的半导体器件,与设置在上述半导体器件外部的上述电流通过电极和控制电极授受电流的取出导电区域,和在上述主表面和上述取出导电区域之间具有缓冲部分,通过焊料分别与上述电流通过电极和控制电极粘结,使上述电流通过电极和控制电极与上述取出导电区域电连接的第1和第2导电板。
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