[发明专利]磁存储器无效
| 申请号： | 03102766.0 | 申请日： | 2003-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1433020A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 岸逹也;天野実;齐藤好昭;高橋茂樹;西山勝哉;浅尾吉昭;與田博明;上田知正;岩田佳久 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种磁存储器，通过由小的写入电流向磁记录层有效地外加磁场，提供具有高集成度、能降低耗电并且可靠性高的磁存储元件。其特征在于：包含：具有磁记录层的磁阻效应元件(21)；在所述磁阻效应元件之上或之下，在第一方向延伸的写入布线(22、23)；根据通过使电流流过所述写入布线而形成的磁场，所述磁记录层的磁化方向是可变的；在与所述第一方向垂直的方向切断的所述写入布线的截面的重心(G)比该重心位置的所述写入布线的厚度方向的厚度的中心点(C)更向所述磁阻效应元件的方向偏心。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器，其特征在于：包含：具有磁记录层的磁阻效应元件；在所述磁阻效应元件之上或之下，在第一方向延伸的写入布线；根据通过使电流流过所述写入布线而形成的磁场，所述磁记录层的磁化方向是可变的；在与所述第一方向垂直的方向切断的所述写入布线的截面的重心比通过该重心的所述写入布线的厚度方向的厚度的中心点更向所述磁阻效应元件的方向偏心。
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