[发明专利]罩幕式只读存储器的制造方法及其结构

摘要

一种罩幕式只读存储器的制造方法，此方法于一基底上依序形成栅极介电层与条状的复数第一导体层，再于基底与第一导体层上形成介电层。接着，图案化介电层以形成复数的编码开口，其中每一编码开口底部暴露出第一导体层，再于编码开口底部的第一导体层中形成复数的阱区。然后，于介电层上与编码开口中形成条状的复数第二导体层并电性连接至阱区以形成一二极管存储单元数组。并且此二极管存储单元数组可以堆栈复数层以增加元件的集成度。

主权项

1、一种罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于：包括下列步骤：于一基底上依序形成栅极介电层与条状的复数第一导体层；于该基底与该些第一导体层上形成一第一介电层；图案化该第一介电层以形成复数的第一编码开口，其中每一该些第一编码开口底部暴露出该些第一导体层；于该些第一编码开口底部的该些第一导体层中形成复数的第一阱区；以及于该第一介电层上与该些第一编码开口中形成条状的复数第二导体层，其中该些第二导体层电性连接该些第一阱区，以形成一第一存储单元数组。