[发明专利]半导体元件的制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，此方法于已形成有栅极结构的基底上形成第一介电层之后，回蚀刻第一介电层，而于栅极结构的侧壁形成间隙壁。随后，在间隙壁两侧的基底中形成源极/漏极区，再于基底上形成第二介电层，其中第二介电层的材质与第一介电层的材质相同。由于第一介电层与第二介电层的材质相同，因此无须将第一介电层移除，而可以直接形成第二介电层，如此，便可防止移除第一介电层时会于隔离区产生孔洞的问题。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，其特征是，该方法包括：提供一基底，该基底具有一存储单元区以及一周边电路区，且该存储单元区中已形成有多个第一栅极结构，该周边电路区中已形成有多个第二栅极结构；在该基底上形成一第一介电层，覆盖该些第一栅极结构与该些第二栅极结构；回蚀刻该第一介电层，保留下的该第一介电层填满该些第一栅极结构之间的空隙，而且保留下的该第一介电层也同时成为该些第二栅极侧壁的一间隙壁；在该间隙壁两侧的该基底中形成一源极/漏极区；以及在该基底的上方形成一第二介电层，覆盖保留下的该第一介电层、该间隙壁、该些第一栅极结构与该些第二栅极结构，其中该第二介电层的材质与该第一介电层的材质相同。