[发明专利]具有超薄的应变矽通道的金氧半导体场效晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 03102137.9 | 申请日： | 2003-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN1438711A | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 杨育佳;杨富量;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用超薄的应变矽层作为通道层的金氧半导体场效晶体管，且可结合SOI技术可将超薄的应变矽层制作于绝缘层上。金氧半导体场效晶体管包括有：矽基材；绝缘层，形成于矽基材的表面上；矽层，形成于绝缘层表面上，且具有伸张应变的晶格特性，用作通道层；闸极绝缘层，形成于矽层的表面上；闸极层，限定形成于闸极绝缘层的表面上；以及源/汲极区，形成于闸极层两侧的矽层内。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 超薄 应变 通道 半导体 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种金氧半导体场效晶体管，包括有：矽基材；绝缘层，形成于该矽基材的表面上；矽层，形成于该绝缘层表面上，且具有伸张应变的晶格特性，用作通道层；闸极绝缘层，形成于该矽层的表面上；闸极层，限定形成于该闸极绝缘层的表面上；以及源/汲极区，形成于该闸极层两侧的矽层内。
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