[发明专利]含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法有效

申请号：	03102064.X	申请日：	2003-01-30
公开（公告）号：	CN1430293A	公开（公告）日：	2003-07-16
发明（设计）人：	阎东航;张坚;王军;王海波;严铉俊	申请（专利权）人：	中国科学院长春应用化学研究所
主分类号：	H01L51/20	分类号：	H01L51/20;H01L51/40
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	130022 ***	国省代码：	吉林;22
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摘要：	一种具有耗尽型工作模式或反型工作模式的有机半导体场效应晶体管，包括衬底(1)，在衬底(1)上形成栅电极(2)，在衬底(1)和栅电极(2)上形成栅绝缘层(3)，在栅绝缘层(3)上形成第一半导体层(4)，在第一半导体层(4)上形成源/漏电级(5)，在第一半导体层(4)和源/漏电极栅(5)上形成第二半导体层(6)。
搜索关键词：	含有绝缘异质结型有机半导体场效应晶体管制作方法
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【主权项】：

1、一种含有异质结的有机半导体场效应晶体管，包括衬底(1)，栅电极(2)形成在衬底(1)上，其特征在于栅绝缘层(3)形成在衬底(1)和栅电极(2)上，第一半导体层(4)形成在栅绝缘层(3)上，源/漏电级(5)形成第一半导体层(4)上，第二半导体层(6)形成在第一半导体层(4)和源/漏电极(5)上。

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