[发明专利]需要刷新工作的半导体存储器无效

专利信息
申请号: 03101780.0 申请日: 2003-01-22
公开(公告)号: CN1459798A 公开(公告)日: 2003-12-03
发明(设计)人: 冈本武郎;市口哲一郎;米谷英树;长泽勉;山内忠昭;诹访真人;松本淳子;田增成 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘宗杰,王忠忠
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体存储器包含决定刷新时的刷新周期的刷新定时器38,刷新定时器38由电压调整电路51、环形振荡器52和计数器53构成。电压调整电路51发生具有正的温度特性的偏置电压BIASS。环形振荡器52根据偏置电压BIASS使脉冲信号PHY0的振荡周期变化。计数器53以规定数对脉冲信号PHY0进行计数,发生进行刷新工作用的刷新信号PHYS。其结果,半导体存储器根据温度变化使刷新周期变化,以适当的刷新周期进行刷新工作。
搜索关键词: 需要 刷新 工作 半导体 存储器
【主权项】:
1.一种半导体存储器,其特征在于具备:存储单元阵列,包含排列成行列状的多个存储单元;以及刷新控制电路,为了保持在上述多个存储单元中被存储的存储信息,周期性地进行刷新工作,上述刷新控制电路包含:刷新定时器,决定刷新周期,在上述每个刷新周期中发生刷新信号;以及刷新地址发生电路,根据上述刷新信号依次发生指定成为上述刷新工作的对象的存储单元行用的刷新行地址,上述刷新定时器由下述部分构成:电压调整电路,根据温度的下降,使用差分放大电路来调整输出电压;振荡电路,从上述电压调整电路接受上述输出电压,发生根据上述输出电压变低的情况使发生周期变长的内部信号;以及刷新信号发生电路,根据上述内部信号发生上述刷新信号。
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