[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 03101715.0 | 申请日： | 2003-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1433088A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 杉山仁;大桥健一;山下敦子;鹫塚章一;赤池康彦;吉武春二;浅川钢児;江头克;藤本明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体发光器件包括：具有第1表面和第2表面的衬底；以及在上述衬底的上述第1表面上形成的半导体叠层和包含一个光发射层和一个电流扩散层，其中一个光射出面具有微小凹凸，上述微小凹凸的99％以上是凸部部高度为100nm以上，底边长度为10～500nm的锥体形状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体发光器件包括：具有第1表面和第2表面的衬底；以及在上述衬底的上述第1表面上形成、且包含光发射层和电流扩散层的半导体叠层，其中光射出面具有微小凹凸，上述微小凹凸的99％以上是凸部高度为100nm以上，底边长度为10～500nm的锥体形状。
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