[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，首先，在衬底(101)上形成包含由金属氧化物构成的电容绝缘膜(106)的电容元件(108)。接着，在电容元件(108)之上沉积了由氧化硅构成的层间绝缘膜(109A)后，在层间绝缘膜(109A)之上形成电连接电容元件(108)的阻挡膜(110B)。在把形成了阻挡膜(110B)的衬底(101)向之后的步骤输送时的输送期间或输送前后的待机期间，把露出层间绝缘膜(109A)的衬底(101)储存在通过吸湿材料(21)使内部的水分浓度比外部低并设置为可密封的由石英构成的储存容器(20)中。使包含由金属氧化物构成的强电介质的电容绝缘膜的电特性不会由于热处理而从层间绝缘膜放出的水分而劣化。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括：在衬底上形成包含由金属氧化物构成的电容绝缘膜的电容元件的第一步骤；在所述电容元件上沉积由氧化物构成的层间绝缘膜的第二步骤；在所述层间绝缘膜上的所述电容元件的上方区域设置了开口部后，在所述层间绝缘膜上形成通过所述开口部与所述电容元件连接的导电性膜，使所述层间绝缘膜中的所述电容元件的周边部的上方部分露出的第三步骤；在把形成了所述导电性膜的衬底向所述第三步骤之后的步骤即第四步骤输送时的输送期间或输送之前的期间或输送后的待机期间，在所述层间绝缘膜的表面的几乎整个面被其他构件覆盖之前的期间，把形成了所述导电性膜的衬底储存在内部的气体介质的水分浓度比其外部的气体介质的水分浓度低的储存容器中。