[发明专利]薄膜晶体管阵列及其驱动电路结构

摘要

一种薄膜晶体管阵列及其驱动电路结构，适于配置在一基板上，其主要是由多个扫描配线、多个信号配线、多个薄膜晶体管、多个画素电极、多个储存电容以及多个互补金氧半晶体管所构成。薄膜晶体管主要是由一多晶矽层、一源极/汲极、一N+掺杂薄膜、一闸极以及一闸极绝缘层。其中，多晶矽层是配置于基板上，源极/汲极配置于多晶矽上方，N+掺杂薄膜配置于多晶矽层与源极/汲极之间，闸极配置于多晶矽上方，而闸极绝缘层则配置于多晶矽与闸极之间。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列及其驱动电路结构，适于配置于一基板上，其特征在于，该结构包括：复数个扫描配线，配置于该基板上；复数个信号配线，配置于该基板上；复数个薄膜晶体管，该些薄膜晶体管是藉由该些扫描配线与该些信号配线驱动，每一该些薄膜晶体管包括：一多晶矽层，配置于该基板上；一源极/汲极，配置于该多晶矽上方；一N+掺杂薄膜，配置于该多晶矽层与该源极/汲极的间；一闸极，配置于该多晶矽上方；一闸极绝缘层，配置于该多晶矽与该闸极的间；复数个画素电极，对应于该些薄膜晶体管配置：复数个储存电容，对应于该些画素电极配置；以及复数个互补金氧半导体，每一该些互补金氧半导体包括一N型金氧半导体与一P型金氧半导体。