[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 03101068.7 | 申请日： | 2003-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN1516249A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 李信宏;曹义昌;苏志鸿 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一基底表面形成有一薄膜晶体管的一栅极。首先依序于该栅极上形成一栅极绝缘层与一非晶硅层，再进行一去氢步骤，并将该非晶硅层转化为一结晶硅层。接着于该栅极上形成一掺杂半导体层，并去除部分的该掺杂半导体层与该结晶硅层。最后于该基底表面形成该薄膜晶体管的一源极与一漏极，并于该基底上形成一钝化层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)显示器的薄膜晶体管的方法，该方法包含下列步骤：提供基底；于该基底上沉积第一金属层；对该第一金属层进行第一光蚀工艺，以于该基底表面形成该薄膜晶体管的一栅极；依序于该栅极上形成栅极绝缘层和第一非晶硅层；进行去氢步骤，以移除该第一非晶硅层中的氢原子；进行再结晶工艺，以将该第一非晶硅层转化为结晶硅层；于该栅极上形成第二非晶硅层；于该栅极上形成掺杂半导体层；进行第二光蚀工艺，以去除部分的该掺杂半导体层、该第二非晶硅层与该结晶硅层；于该基底上形成第二金属层；进行第三光蚀工艺，以于该基底表面形成该薄膜晶体管的源极与漏极，并同时去除部分的该掺杂半导体层，以暴露出该第二非晶硅层；以及于该基底上形成钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司，未经友达光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03101068.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制作半导体元件的方法
- 下一篇：半导体器件及其制造方法、电路基板和薄膜载带
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
