[发明专利]制作半导体元件的方法

摘要

一种形成半导体元件的方法，该方法包括下列步骤：形成一基极绝缘层于半导体底材上。形成一基极于该基极绝缘层之上，随后执行第一次离子布植以形成延伸发射极集电极接面。再形成间隙壁于该基极的侧壁上，包含一衬层位于该基极以及该间隙壁之间。以第二次离子布植形成集电极与发射极，然后执行一热处理用以消除离子缺陷以及活化杂质。随之执行一表面处理以形成选择性复晶硅于该基极以及该集电极发射极上，以形成上升集电极发射极。形成钴金属于该底材之上，使该钴金属与该选择性复晶硅反应以形成硅化钴用以消除缺陷以降低该集电极发射极电阻。

主权项

1.一种形成半导体元件的方法，其特征在于，包括下列步骤：形成一基极于一半导体底材上；以该基极为遮罩，执行第一次离子布植以形成延伸发射极集电极接面；形成一间隙壁于该基极的侧壁上；以第二次离子布植形成一集电极与一发射极；形成一选择性复晶硅于该基极以及该集电极、该发射极上；形成一金属于该选择性复晶硅上；以及反应该金属与该选择性复晶硅以形成一硅化金属。