[发明专利]静态随机存取存储单元的布置及其器件

摘要

本发明公开一种SRAM单元和器件。SRAM单元可与相邻单元共享连线，该连线包括接地、电源电压和/或位线连线。还提供包括设在半导体衬底中的第一和第二有源区的SRAM单元和器件。平行的第一和第二栅极电极横穿第一和第二有源区。第一有源区靠近第一栅极电极的一端通过平行于第一栅极电极的第一节点线电连接至靠近第一栅极电极的第二有源区，而第一有源区靠近第二栅极电极的另一端经平行于第二栅极电极的第二节点线电连接至靠近第二栅极电极的第二有源区。第一节点线经横穿第一节点线的第一局部互连电连接至第二栅极电极，第二节点线经横穿第二节点线的第二局部互连电连接至第一栅极电极。另外字线可直接接触SRAM单元的传输晶体管的栅极电极。

主权项

1.一种SRAM单元，包括：半导体衬底；半导体衬底内的第一和第二有源区，第一有源区分别具有第一端和与第一端相对的第二端；第一和第二有源区上的第一栅极电极，第一栅极电极邻近第一有源区的第一端；第一和第二有源区上的第二栅极电极，第二栅极电极基本平行于第一栅极电极，并邻近第一有源区的第二端；第一节点线，其构造成将第一有源区的第一端电连接到邻近第一栅极电极的第二有源区，第一节点线基本平行于第一栅极电极；第二节点线，其构造成将第一有源区的第二端电连接到邻近第二栅极电极的第二有源区，第二节点线基本平行于第二栅极电极；第一局部互连，其构造成将第一节点线电连接到第二栅极电极上；以及第二局部互连，其构造成将第二节点线电连接到第一栅极电极上。