[发明专利]半导体晶片的覆晶凸块制造方法无效
| 申请号： | 03100660.4 | 申请日： | 2003-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1518065A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 萧永宏 | 申请（专利权）人： | 胜开科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘领弟 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体晶片的覆晶凸块制造方法。为提供一种保护晶片、防止污染损毁晶片、降低成本的半导体晶片上部件制造方法，提出本发明，它包括首先提供设有复数个晶片的晶圆，每一晶片中央部位形成线路布植区及形成于线路布植区周边的焊垫；提供保护层，并将保护层覆盖于每一晶片的线路布植区；于每一晶片的复数个焊垫上形成凸块；去除每一晶片上保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 覆晶凸块 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体晶片的覆晶凸块制造方法，它包括：步骤一首先提供设有复数个晶片的晶圆，每一晶片中央部位形成线路布植区及形成于线路布植区周边的焊垫；其特征在于它还包括下列步骤：步骤二提供保护层，并将保护层覆盖于每一晶片的线路布植区；步骤三于每一晶片的复数个焊垫上形成凸块；步骤四去除每一晶片上保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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