[发明专利]一种CMOS电路与体硅微机械系统集成的方法无效
| 申请号： | 03100303.6 | 申请日： | 2003-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1516257A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 阎桂珍;郝一龙;朱泳;王成伟;张大成;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种将单片CMOS与体硅微机械系统集成的方法，其技术方案为：1)形成隔离槽：采用深槽刻蚀，SiO2和多晶硅填充，实现MEMS结构和CMOS电路的绝缘；2)完成隔离槽后进行标准CMOS电路的加工；3)用SiO2和Si3N4作掩膜，从背面腐蚀硅，直至暴露出隔离槽底部的SiO2，完成MEMS硅结构层的厚度控制；4)完成CMOS电路金属化和MEMS结构掩膜：MEMS结构区用铝作掩膜，CMOS电路区用厚光刻胶作掩膜，用DRIE释放硅结构。用本发明方法不仅获得了较大的质量块，而且用本发明较高的深宽比制作出的结构电容，同时实现了体硅微机械与CMOS电路的集成，显著提高MEMS传感器的精度和稳定性，具有前沿性和重要实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 电路 微机 系统集成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种将单片CMOS与体硅微机械集成的方法，其特征为：1)形成隔离槽：采用深槽刻蚀，SiO2和多晶硅填充，实现MEMS结构和CMOS电路的绝缘；2)完成隔离槽后进行标准CMOS电路的加工；3)用SiO2和Si3N4作掩膜，从背面腐蚀硅，直至暴露出隔离槽底部的SiO2，完成MEMS硅结构层的厚度控制；4)完成CMOS电路金属化和MEMS结构掩膜：MEMS结构区用铝作掩膜，CMOS电路区用厚光刻胶作掩膜，用DRIE释放硅结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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