[发明专利]浅沟渠隔离区的制造方法有效
| 申请号： | 03100237.4 | 申请日： | 2003-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1516258A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 马思尊;张国华 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种浅沟渠隔离区的制造方法，此方法首先提供一晶圆，其中晶圆上已形成有一罩幕层。接着，提供一空白晶圆，并且将空白晶圆送进一蚀刻机台中以进行一蚀刻制作工艺。之后，检视空白晶圆产生的一缺陷数量，倘若空白晶圆上的缺陷数量小于一标准值，才将晶圆送进蚀刻机台中以进行蚀刻制作工艺，而于晶圆中定义出一沟渠。继之，在沟渠中填入一绝缘层，然后将罩幕层移除，而形成一浅沟渠隔离区。 | ||
| 搜索关键词： | 沟渠 隔离 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种浅沟渠隔离区的制造方法，其特征在于：包括：提供一晶圆，该晶圆上已形成有一罩幕层；提供一空白晶圆；将该空白晶圆送进一蚀刻机台中以进行一蚀刻制作工艺；在该蚀刻制作工艺之后，检测该空白晶圆上的一缺陷数量；倘若该空白晶圆上的该缺陷数量小于一标准值，才将该晶圆送进该蚀刻机台中以进行该蚀刻制作工艺，而于该晶圆中定义出一沟渠；在该沟渠中填入一绝缘层；以及移除该罩幕层，以形成一浅沟渠隔离区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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