[发明专利]光磁记录介质和光磁存储装置无效
| 申请号： | 02829893.4 | 申请日： | 2002-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1695188A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 细川哲夫;青山信秀 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B11/105 | 分类号： | G11B11/105 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光磁记录介质，包括：具有ROM区域的基板，在该ROM区域上形成有成为ROM信号的多个相位凹坑；和形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜。位于各相位凹坑的深度的一半的±20％的位置上的相位凹坑端部的平均倾斜角度为10°～40°。各相位凹坑的宽度为300nm～500nm，各相位凹坑的调制度为10％～30％。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 存储 装置 | ||
【主权项】：
1、一种光磁记录介质，其特征在于，包括：基板，具有形成有成为ROM信号的多个相位凹坑的ROM区域；和光磁记录膜，形成在上述基板的与上述ROM区域对应的区域上，用于记录RAM信号，位于上述各相位凹坑的深度的一半的±20％的范围内的位置上的相位凹坑端部的平均倾斜角度为10°～40°。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02829893.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
