[发明专利]半导体存储器有效

专利信息
申请号: 02829597.8 申请日: 2002-11-06
公开(公告)号: CN1669092A 公开(公告)日: 2005-09-14
发明(设计)人: 筱崎直治;神田达哉;佐藤贵彦;船生明裕 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11C11/401 分类号: G11C11/401
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李辉
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体存储器。响应于在预定周期产生的刷新请求输出刷新信号,并且进行刷新操作。当在存取请求和刷新请求之间出现冲突时,刷新操作结束。结果,可以较早地开始与存取请求对应的存取操作,缩短存取时间。通过根据提供存取请求的定时改变刷新操作的结束时间,能够进一步缩短存取时间。由于形成了用于向外部通报刷新操作状态的测试电路,因此能够在短时间内评估刷新操作的操作裕度。结果,能够缩短半导体存储器的开发周期。
搜索关键词: 半导体 存储器
【主权项】:
1.一种半导体存储器,包括:具有多个存储单元的存储芯;命令控制电路,响应于通过命令端子提供的存取请求、输出用于访问所述存储单元的存取信号;刷新定时器,以预定周期产生刷新请求以刷新所述存储单元;刷新控制电路,该刷新控制电路响应于所述刷新请求输出第一刷新信号,以开始刷新操作,在所述存取请求和所述刷新请求之间出现冲突时,停止所述第一刷新信号的输出,并在与所述存取请求对应的存取操作之后输出与所述刷新请求对应的第二刷新信号;和芯控制电路,该芯控制电路响应于所述存取信号进行所述存取操作,并分别响应于所述第一和第二刷新信号进行第一和第二刷新操作。
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