[发明专利]气相生长装置以及气相生长方法有效
| 申请号： | 02829135.2 | 申请日： | 2002-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1628371A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 清水英一;牧野修仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社日矿材料 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张天安;胡强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种气相生长装置以及气相生长方法，所述气相生长装置至少备有：可密闭的反应炉、设置在该反应炉内并用于将晶片配置在规定位置上的晶片收纳体、用于向晶片供给原料气体的气体供给机构、用于加热前述晶片的加热机构，在前述反应炉内，通过利用前述加热机构经由前述晶片收纳体加热晶片、并且在高温状态下供给原料气体，在前述晶片的表面上形成生长膜，前述晶片收纳体包括：形成有用于收纳前述晶片的空部的热流控制部、与该热流控制部接合并用于将热量传递到收纳在前述空部中的晶片的热流传导部，使前述热流控制部和前述热流传导部的接触热阻为1.0×10－6m2K/W以上、5.0×10－3m2K/W以下，并且用具有配置在前述热流传导部上的晶片的热传导率的0.5倍以上、5倍以下的热传导率的材质形成前述热流控制部。 | ||
| 搜索关键词： | 相生 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种气相生长装置，至少备有：可密闭的反应炉、设置在该反应炉内并用于将晶片配置在规定位置上的晶片收纳体、用于向晶片供给原料气体的气体供给机构、用于加热前述晶片的加热机构，在前述反应炉内，通过利用前述加热机构经由前述晶片收纳体加热晶片、并且在高温状态下供给原料气体，在前述晶片的表面上形成生长膜，其特征在于，前述晶片收纳体包括：形成有用于收纳前述晶片的空部的热流控制部、与该热流控制部接合并用于将热量传递到收纳在前述空部中的晶片的热流传导部；在前述热流控制部和前述热流传导部邻接的平面以及曲面间存在均匀的热阻Rg。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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