[发明专利]横向耗尽结构的场效应晶体管有效
| 申请号： | 02829051.8 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1628377A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | B·D·马钱特 | 申请（专利权）人： | 费查尔德半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示了一种场效应晶体管器件及其制作方法。该器件包括从半导体基片主表面伸入半导体基片预定深度的条形槽，该条形槽包含的第二导电率型半导体材料在与半导体基片形成的界面形成一个PN结。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 耗尽 结构 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管器件，其特征在于包括：具有主表面和漏区的第一导电率型半导体基片；形成在半导体基片内的第二导电率型井区；形成在井区内的第一导电率型源区；形成邻近于源区的沟槽栅极；和从半导体基片表面伸入半导体基片预定深度的条形槽，该条形槽包含的第二导电率型半导体材料在与半导体基片形成的界面构成-PN结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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