[发明专利]于沟道区域中具有退化掺杂分布的半导体组件及用于制造该半导体组件的方法有效
| 申请号： | 02828606.5 | 申请日： | 2002-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1623234A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | K·维乔雷克;M·霍斯特曼;R·斯蒂芬 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明在离子植入步骤之后于井结构之上提供外延生长沟道层，并且执行热处理步骤以在该井结构内建立所需的掺杂分布。该沟道层如同所需可以是未掺杂或轻微地掺杂，以便在该沟道层内的最终获得的掺杂浓度相较于习知的组件为显著地减少，藉以在场效应晶体管的沟道区域内提供退化掺杂分布。此外，可以在该井结构及该沟道层之间提供屏障扩散层以在该沟道层的形成之后所执行的任何热处理期间减少向上扩散。在该沟道区域内的最终掺杂分布可以藉由该沟道层的厚度、该扩散屏障层的厚度及成分及任何额外的植入步骤而调整以在该沟道层内导入掺杂原子。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 区域 具有 退化 掺杂 分布 半导体 组件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在场效应晶体管的沟道区域中形成退化掺杂分布的方法，该方法包括：于基板(301)内形成井结构(310，320)；在该井结构上方外延生长沟道层(350)；在该沟道层(350)上方形成栅极绝缘层(335)与栅极电极(344)；以及在该井结构内形成漏极(341)及源极区域(341)而具有该沟道区域位在该漏极区域(341)及该源极区域(341)之间。
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