[发明专利]具有不同金属硅化物部分的半导体器件的制造方法

摘要

本发明披露出一种方法，在该方法中，将不同金属层按顺序沉积于含硅区域上，以致于各金属层的类型与厚度与打底含硅区域的具体特性相适应。接着，进行一热处理，以将各金属转换成金属硅化物，以便改善含硅区域的导电性。以此方式，可形成能分别地适合于特定含硅区域的硅化物部分，以便使单个半导体元件的器件性能或者多个半导体元件的整体性能明显地改善。另外，披露出一半导体器件，其包含至少两含硅区域，其具有不同的硅化物部分形成于其中，其中至少一硅化物部分包含一贵金属。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，该方法包含：提供一基板(201)，其上形成有第一与一第二导电性含硅区域；形成一第一抗蚀剂掩膜(250)，以用来遮盖第二导电性含硅区域，并且暴露第一导电性含硅区域；沉积第一预定厚度的第一金属层(240)于该基板(201)上；移除第一抗蚀剂掩膜(250)；形成第二抗蚀剂掩膜(255)，以用来遮盖第一导电性含硅区域，并且暴露第二导电性含硅区域；沉积第二预定厚度的第二金属层(242)于该基板(201)上；移除第二抗蚀剂掩膜(255)；以及将该基板(201)热处理，以形成第一硅化物部份(241)于第一导电性含硅区域以及第二硅化物部份(243)于第二导电性含硅区域中。