[发明专利]薄膜体声波谐振器结构及其制造方法无效
| 申请号： | 02828164.0 | 申请日： | 2002-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1620752A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | Q·马;L·－P·王;V·劳 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种薄膜体声波谐振器在具有主表面的衬底上形成。该薄膜体声波谐振器包括细长叠层。该细长叠层包括一个位于淀积在压电材料层的第一表面上的第一导电层和位于淀积在压电材料层的第二表面上的第二导电层之间的压电材料层。该细长叠层相对于衬底的主表面大致垂直。第一和第二导电层大体上同时在一个加工步骤中放置在压电材料层上。衬底的主表面位于水平面上，薄膜体声波谐振器的叠层位于大致垂直的平面上。所形成的谐振器结构可用作谐振器或滤波器。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 谐振器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在具有主表面的衬底上形成的薄膜体声波谐振器，所述薄膜体声波谐振器包括：细长的叠层，它还包括：压电材料层；淀积在所述压电材料层的第一表面上的第一导电层；以及淀积在所述压电材料层的第二表面上的第二导电层，所述细长的叠层相对于所述衬底的主表面大致垂直定位。
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