[发明专利]用于选择性地蚀刻电介质层的工艺无效
| 申请号： | 02828014.8 | 申请日： | 2002-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1618121A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | C－L·谢;J·袁;H·陈;T·帕纳格普洛斯;Y·叶 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用于蚀刻电介质结构的方法。该电介质结构包括：(a)一层未掺杂的氧化硅或F－掺杂的氧化硅；和(b)一层C，H－掺杂氧化硅。在等离子体蚀刻步骤中，蚀刻该电介质结构，其中利用包含氮原子和氟原子的等离子体源气体进行该等离子体蚀刻步骤。作为一个实例，等离子体源气体可以包括包含一种或多种氮原子和一种或多种氟原子的气体物质(例如NF3)。作为另一个实例，该等离子体源气体可以包括(a)包含一种或多种氮原子的气体物质(例如N2)和(b)包含一种或多种氟原子的气体物质(例如CF4气体)。在该蚀刻步骤中，相对于未掺杂氧化硅或F－掺杂氧化硅层，优先蚀刻C，H－掺杂氧化硅层。例如本发明的方法可适用于双镶嵌结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 选择性 蚀刻 电介质 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种蚀刻电介质结构的方法，包括：提供电介质结构，该电介质结构包括：(a)未掺杂氧化硅或F-掺杂氧化硅的第一电介质层；和(b)C，H-掺杂氧化硅的第二电介质层；以及在等离子体蚀刻步骤中，蚀刻所述电介质结构，其中利用包括氮原子和氟原子的等离子体源气体进行所述等离子体蚀刻步骤；并且其中在所述蚀刻步骤中，相对于所述第一电介质层，选择性地蚀刻所述第二电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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