[发明专利]电化学边缘和斜面清洁工艺及系统无效
| 申请号： | 02827672.8 | 申请日： | 2002-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1636267A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | 布林特·M·巴索 | 申请（专利权）人： | 纳托尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种边缘清洁系统和方法，其中，温和的蚀刻溶液(230)的定向流被提供到旋转工件(100)的边缘区域，包括前表面边缘和斜面，同时维持工件与定向流之间的电势差。一方面，本发明提供了一种边缘清洁系统，它被安置在用于工件沉积或去除处理的同一处理室中。另一方面，用于边缘去除的温和蚀刻溶液还被用来清洁晶片的前表面，或者与边缘去除工艺同时进行，或者顺序进行。 | ||
| 搜索关键词： | 电化学 边缘 斜面 清洁 工艺 系统 | ||
【主权项】：
1、一种使用蚀刻溶液和与蚀刻溶液接触的蚀刻电极，从工件导电层的斜面边缘，包括导电层的前面边缘表面除去导电材料的方法，该方法包括下面步骤：旋转工件；引导蚀刻溶液的连续流流向工件的斜面边缘，包括导电层的前面边缘表面，同时旋转工件；以及在引导步骤进行时，在电极和工件导电层之间施加电势差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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