[发明专利]外围晶体管的金属化触点形成方法有效
| 申请号： | 02826525.4 | 申请日： | 2002-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1610969A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | R·H·莱恩;T·麦克丹尼 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法和设备，它们针对在半导体器件的外围逻辑电路区域内形成金属插栓(75，76，95，96)以便接触在该外围逻辑电路区域内晶体管的N+和P+掺杂区域(25，26)两者。该金属插栓在用于晶片制造的全部高温处理完成之后形成。而且该金属插栓在没有金属扩散到该基片活性区域内的情况下形成。在从该半导体器件的顶视图观察时该金属插栓形成椭圆形小片。 | ||
| 搜索关键词： | 外围 晶体管 金属化 触点 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置形成方法，所述方法包括：形成用于存储单元的至少一个电容器结构的一部分，所述存储单元位于所述存储装置的存储器阵列区域内；热处理所述电容器结构；以及在热处理所述电容器结构之后形成直到所述基片活性区域的金属插栓，其中直到所述活性区域形成的所述金属插栓的至少一个部分用于半导体基片的N沟道和P沟道外围逻辑晶体管两者，所述半导体基片位于含有所述存储单元的所述存储器阵列区域外侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
