[发明专利]电性程序化的金属氧化半导体晶体管源极/漏极串联电阻有效
| 申请号： | 02825738.3 | 申请日： | 2002-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1606811A | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | J·F·布勒;Q·向;D·J·瑞斯特斯 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 高速金属氧化半导体晶体管(32)是通过形成嵌埋在晶体管栅极侧壁间隔物(27)内的导电层(24)所提供。该嵌埋导电层(24)电性绝缘于该晶体管(32)的栅极(18)及源极/漏极区域(28)。该嵌埋导电层(24)位于该源极/漏极延伸部(30)上，且产生电荷累积于该源极/漏极延伸部(30)中，以降低该源极/漏极区域(28)的串联电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 程序化 金属 氧化 半导体 晶体管 串联 电阻 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：其上形成有晶体管(32)的半导体基材(10)，该晶体管(32)包含有形成于该基材(10)上具有相对侧壁(20)的栅极(18)；形成于该基材(10)中的有源区域(14)；形成在沿该栅极相对侧壁(20)旁且与该栅极相对侧壁(20)接触的绝缘侧壁间隔物(27)；以及嵌埋在该侧壁间隔物(27)中的导电层(24)，该导电层(24)与该栅极(18)及该有源区域(14)电性绝缘。
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