[发明专利]带有不同硅厚度的绝缘膜上硅装置有效
| 申请号： | 02825548.8 | 申请日： | 2002-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1606807A | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | D·A·尚;W·G·恩;J·G·佩尔兰;M·W·米歇尔 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造半导体装置的方法是包括在一绝缘层(12)上方加上一硅层(14)，且部分去除该硅层(14)的第一部分。该硅层(14)包括第一部分与第二部分，且第二部分的厚度大于第一部分的厚度。开始的时候，该硅层(14)的第一与第二部分的厚度有可能有相同的厚度。也揭示一种半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 不同 厚度 绝缘 膜上硅 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，其包括以下的步骤：在一绝缘层12上方加上一硅层14，该硅层14包括一第一部份与一第二部份；部份去除该硅层14的第一部份，其中第二部份的厚度大于第一部份的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
