[发明专利]深沟渠电容器以及电阻之同时形成

摘要

一种小型电阻系利用与形成一DRAM单元之一沟渠电容器所使用之步骤相同的许多步骤而加以形成于一集成电路之中，特别是在掺杂该基板以形成该电容器之底部平板的步骤之后，于该沟渠内部沉积一重掺杂之锗层，再于该沟渠中沉积具有所需电阻率之多晶硅，然后，移除该锗层并留下足够在该沟渠底部形成一欧姆接触的锗层。

主权项

1.一种于一半导体基板中形成至少一实质上铅直之电阻的方法，其包括下列步骤：准备该基板；于该基板中蚀刻一沟渠，并到达一单元深度；于该沟渠之下部的外侧形成一埋藏导电平板；沉积具有一第一极性的一已掺杂锗层于该沟渠之内壁之上；将电阻材质沉积于该沟渠的范围之内，并与该已掺杂锗层相接触；以及对该电阻材质进行选择而移除该已掺杂锗层并留下该已掺杂锗层的一底部部分，以作为该电阻材质以及该埋藏平板间的一欧姆接触，藉此，该电阻材质系会包括一电阻，而该电阻系于其项部表面具有一第一接触，并且具有一第二接触连接至该埋藏平板。