[发明专利]集成晶体管/存储器结构的矩阵可寻址阵列

摘要

本发明包括一个或多个半导体材料层(1)、两个或两个以上电极层以及在两个或两个以上电极层中接触电极(2，6，10)的存储材料(11)。至少一个半导体材料层与两个电极层形成晶体管结构，使得第一电极层的电极形成源/漏电极对，第二电极层的电极形成其栅电极。单晶体管/存储器结构的源和漏电极(2；6)由延伸到半导体层(1)的窄凹槽(3)分隔，其中在凹槽之下提供具有极小宽度的晶体管沟道(8)，而在晶体管沟道(8)任一侧的相应源和漏电极(2；6)之下提供源和漏区。在凹槽(3)中提供存储材料(11)并接触晶体管的电极(2，6，10)。这种配置定义具有与凹槽(3)的宽度对应的长度L以及与栅电极(10)的宽度对应的宽度W的晶体管沟道(8)，L为W的几分之一，以及在存储材料(11)中分别在源电极(2)与栅电极(10)之间、漏电极(6)与栅电极(10)之间以及在源和漏电极(2；6)之间的凹槽中形成三个存储单元。

主权项

1.一种集成晶体管/存储器结构的矩阵可寻址阵列，其中所述矩阵包括一个或多个半导体材料层(1)、两个或两个以上电极层(E)以及在所述两个或两个以上电极层中接触电极(2，6，10)的存储材料(11)，其中所述存储材料(11)是能够表现出磁滞的可极化电介质材料，特别是铁电材料或驻极体材料，其中各层中的所述至少两个电极层(E)中的所述电极(2，6，10)是作为连续或间断平行延伸的结构来提供的，其中所述至少一个半导体材料层(1)与所述至少两个电极层(E)形成场效应晶体管结构，其中第一电极层(E1)的所述电极(2，6)形成所述场效应晶体管结构的源/漏电极对，其中相邻的第二电极层(E2)的所述电极(10)形成所述场效应晶体管结构的所述栅电极(10)，任何情况下，所述栅电极以实质上与所述第一电极层(E1)的所述电极(2，6)垂直的方向设置，其特征在于，单晶体管/存储器结构(T1)的所述源和漏电极(2；6)由它们之间延伸并到达所述半导体层(1)的窄垂直凹槽(3)来分隔；在所述源和漏电极(2；6)之间的所述凹槽(3)之下的所述半导体层(1)中提供晶体管沟道(8)；在所述晶体管沟道(8)任一侧的所述源和漏电极(2；6)之下提供所述晶体管结构的所述源和漏区(9；5)；提供所述存储材料(11)，填充所述源和漏电极(2；6)之间的所述凹槽(3)并覆盖其顶面；提供接触所述存储材料(11)的栅电极(10)，从而所述晶体管沟道(8)由对应于所述凹槽(3)宽度的长度L以及对应于所述栅电极(10)宽度的宽度W来定义，L是W的几分之一；以及在所述存储材料(11)中，分别在所述源电极(2)和所述栅电极(10)之间、在所述漏电极(6)和所述栅电极(10)之间以及在所述源和漏电极(2；6)之间的所述凹槽中形成三个存储单元(11a，11b，11c)。