[发明专利]光电二极管

摘要

一种光电二极管，其光吸收层由层厚为W_D的耗尽的第一半导体光吸收层和层厚为W_A的p型中性的第二半导体光吸收层构成，并且W_A和W_D之比被设定为使光吸收层内的总的载流子渡越时间τ_tot为最小。此外，在第一半导体光吸收层和n型半导体电极层之间设置具有比第一半导体光吸收层更大的带隙的耗尽的半导体透光层。

主权项

1.一种光电二极管，包括依次层叠的n型半导体电极层，由第一半导体光吸收层和具有p型的第二半导体光吸收层构成的光吸收层，p型半导体电极层，以及在上述n型半导体电极层上设置的n型电极和在上述p型半导体电极层上设置的p型电极；在上述n型电极和p型电极之间施加预定的反向偏压时，上述第一半导体光吸收层被耗尽，并且上述第二半导体光吸收层的除了与上述第一半导体光吸收层的交界面附近区域之外的区域成为中性区域，其特征在于，在由上述第一半导体光吸收层的层厚(WD)和上述第二半导体光吸收层的层厚(WA)之和(W＝WD+WA)所确定的预定厚度的上述光吸收层内，当上述第一半导体光吸收层的层厚为WD-ΔW，上述第二半导体光吸收层的层厚为WA+ΔW时，WD与WA之比被设定为使上述第一半导体光吸收层内的空穴的渡越时间的减少值(-ΔτD)和上述第二半导体光吸收层内的电子渡越时间增加值(ΔτA)的关系为|ΔτA|＝|-ΔτD|。