[发明专利]形成电容器的方法及形成电容器介电层的方法无效
| 申请号： | 02824062.6 | 申请日： | 2002-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1701423A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | D·M·埃皮希;K·L·比曼 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/314 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 美国艾*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成电容器的方法包括在半导体基底上形成第一电容器电极材料。在第一电容器电极材料上形成含氮化硅的层。在腔室内提供具有含氮化硅的层的半导体基底。远离腔室产生含氧等离子体。在750℃的基底温度下，将远程等离子体产生的氧进料给腔室内的半导体基底，所述的温度对于在含氮化硅的层上形成含氧化硅的层是有效的。在进料后，在含氧化硅的层上形成第二电容器电极材料。还公开了形成电容器介电层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电容器 方法 介电层 | ||
【主权项】：
1.一种形成电容器的方法，该方法包含：在半导体基底上形成第一电容器电极材料；在所述第一电容器电极材料之上形成含氮化硅的层；在腔室内提供具有含氮化硅的层的半导体基底；产生远离腔室的含氧等离子体；在不大于750℃的基底温度，将远程等离子体产生的氧进料给腔室内的半导体基底，所述的温度对于在含氮化硅的层上形成含氧化硅的层是有效的；和在进料后，在所述含氧化硅的层上形成第二电容器电极材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
