[发明专利]包括动态参考层之磁阻记忆胞元无效
| 申请号： | 02823929.6 | 申请日： | 2002-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1599937A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | J·班格特 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本案系关于一种配置，其系用于增加一磁阻记忆胞元(17)阻值之相对变化，该磁阻记忆胞元(17)于备情形皆具有一记忆层(1)与一参考层(3)于一信道阻障(2)之两侧，该参考层(3)系被形成为一磁性软层，且其磁化作用可受存写操作影响，且藉由一参考备援场或一参考磁化作用电流(11)，其可被再次定方位。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 动态 参考 磁阻 记忆 | ||
【主权项】：
1.一配置，用于一半导体装置中增加一磁阻记忆胞元(17)之阻值差，其中该磁阻记忆胞元(17)于各情形皆具有一记忆层(1)与一参考层(3)于一信道阻障(2)之两侧，其系于一第一磁化作用态与一第二磁化作用态之间，在该第一磁化作用态中，关于该参考层(3)之一参考磁化作用(8)，该记忆层(1)之一磁化作用(7)系为单向，在该第二磁化作用态中，关于该参考磁化作用(8)，该磁化作用(7)系为相反方位，其特征在于该参考层(3)系被形成为一磁性软层且具有一高旋转极化作用，在该记忆层(1)之该磁化作用(7)之改变中，可允许该参考层(3)之该磁化作用之偏移或改变，在该记忆层(1)之该磁化作用(7)未改变方位之所给定的该磁阻记忆胞元(17)上，至少下一读取操作之前，该参考层(3)之该磁化作用之该方位可被再次设定于该参考磁化作用(8)之该方向中。
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