[发明专利]电容器及制造电容器之方法

摘要

一电容器，其系包括一半导体衬底(114)，而在该衬底(114)之中系形成有一沟渠(112a、112b)，并且，该衬底(114)系经由该沟渠(112a、112b)而被掺杂。一介电层(118)系覆盖于该沟渠(112a、112b)之表面，其中一导电材质(120a、120b)系更进一步地被配置于该沟渠之中。在该电容器中亦形成有一第一接触结构(126)，其系以导电的方式接触在该沟渠(112a、112b)中的该导电材质(120a、120b)，以及一第二接触结构(130)，其系以导电的方式接触该已掺杂之半导体衬底(114)。该电容器系具有电极的低串联电阻，并且可以一简单的方式而加以制造。

主权项

1.一种电容器，其包括：一已掺杂之半导体衬底(114；134)；一沟渠(112、112a、112b；312、312a、312b)，形成在该半导体衬底(114；134)之中；一介电层(118；318)，覆盖该沟渠(112、112a、112b；312、312a、312b)之表面；一导电材质(120a、120b；320a、320b)，位于该沟渠(112、112a、112b；312、312a、312b)之中；一第一接触结构(126；326)，其系以导电的方式接触在该沟渠(112、112a、112b；312、312a、312b)中的该导电材质(120a、120b；320a、320b)；以及一第二接触结构(130；330)，其系以导电的方式接触该已掺杂之半导体衬底(114；314)。