[发明专利]用于在光存储介质的记录层中记录标记的方法和设备无效
| 申请号： | 02823567.3 | 申请日： | 2002-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1630901A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | J·C·N·里佩斯;B·A·J·贾科布斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B7/0045 | 分类号： | G11B7/0045;G11B7/125 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;王忠忠 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在相变型存储介质上记录标记(1)的方法以及记录设备。通常，一个nT标记(1)是通过一个n－1或更少的写脉冲序列记录的。在慢冷却叠层中，这将导致低质量的标记。本发明提出通过应用多脉冲(3)而增加写脉冲序列中的多脉冲(3)之间的冷却周期，所述多脉冲的脉冲持续时间为Tmp＜4ns，且占空周期为Tmp/Tw，其中Tw为参考时钟周期时间且Tw＜40ns。以这种方式，即使在巨大数量的直接重写(DOW)周期之后和在宽记录功率和记录速度范围的情况下，也能获得质量非常好的标记(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储 介质 记录 标记 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种通过用脉冲辐射束照射记录层而在存储介质上记录具有n*Tw时间长度的标记的方法，n表示大于1的整数，而Tw表示参考时钟一个周期的长度，所述存储介质包括一具有相位可逆材料的记录层，其在晶相和非晶相之间是可变换的，每个标记是通过脉冲序列写入的，所述脉冲序列包括一第一脉冲，其后紧跟m个多脉冲，m表示大于或等于1且小于或等于n-1的整数，其特征在于：所述多脉冲具有脉冲持续时间Tmp＜4ns，而Tw＜40ns，且第一脉冲具有脉冲持续时间Tfirst≥Tmp。
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