[发明专利]贴合晶片的制造方法

摘要

本发明是将硅单晶所构成的接合晶片31与衬底晶片32通过氧化膜33进行贴合后、对接合晶片31实施减厚加工以制造贴合晶片39的方法。若使用以下的改进化学腐蚀晶片来作为接合晶片31及衬底晶片32，即可减少接合热处理后的未结合区域UA。改良化学腐蚀晶片是这样制成，它在腐蚀工序中，在碱腐蚀后进行酸腐蚀，这时使碱腐蚀的腐蚀量大于酸腐蚀的腐蚀量。这样，在贴合晶片的制造中，可减少接合晶片与衬底晶片的未结合区域。

主权项

1、一种贴合晶片的制造方法，是将硅单晶所构成的接合晶片与衬底晶片通过绝缘层或直接贴合后，对接合晶片实施减厚加工，其特征在于，将硅单晶棒经切片、倒角、研磨、腐蚀、镜面研磨及洗净这些工序所制得的晶片，用作为接合晶片与衬底晶片，且在腐蚀工序中，在碱腐蚀后进行酸腐蚀，这时，使碱腐蚀的腐蚀量大于酸腐蚀的腐蚀量。