[发明专利]铁电或驻极体存储电路

摘要

在铁电或驻极体存储电路(C)中，特别是在具有改进了的抗疲劳性的铁电或驻极体存储电路中，优选是聚合物或低聚物存储材料的铁电或驻极体存储单元接触第一和第二电极，至少其中一个电极包含至少一种功能性材料，此功能性材料能够物理和/或化学体结合包含在电极或存储材料中的原子或分子物种，且显示以可移动的带电和/或中性粒子的形式在电极与存储材料之间迁移的倾向，其对二者都是有害的。具有上述性质的功能性材料用来抵消这种迁移的任何不利影响，导致存储单元抗疲劳性的改善。应用于矩阵可寻址的存储器件中，其中存储单元形成在铁电或驻极体薄膜存储材料特别是聚合物材料的全局层的不同部分中。

主权项

1.一种铁电或驻极体存储电路(C)，特别是具有改进的抗疲劳性的铁电或驻极体存储电路，包含具有呈现滞后现象且能够被极化成具有给定极化值的正或负极化状态的存储材料(2)的铁电或驻极体存储单元，以及以一种方式设置为直接或不直接接触存储材料的第一和第二电极(1a，1b)，致使通过将适当的电压施加到电极，能够在存储材料(2)上产生电位差，用来对未被极化的存储单元进行极化，或引发在存储单元的极化状态和相反的极化状态之间的转换，或引发存储单元中极化状态或其值的暂时改变，其特征在于，至少一个电极(1a；1b)包含至少一种功能性材料(3)，所述至少一种功能性材料(3)能够物理和/或化学体结合包含在存储单元的存储材料(2)或电极材料中的原子或分子物种，并呈现以可移动的带电和/或中性粒子形式从电极材料迁移到存储材料(2)中或从后者迁移到前者的倾向，从而能够抵消对存储单元的存储材料(2)或电极材料的功能性质的不利影响。