[发明专利]抵抗在钝化层形成裂纹的集成电路无效
| 申请号： | 02823247.X | 申请日： | 2002-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1592946A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 石甫渊;苏根政;约翰·E·阿马托 | 申请（专利权）人： | 通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;谷慧敏 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在用蚀刻和镶嵌技术产生的集成电路，据推测，由于应力从互连金属层传递到围绕的介电材料(401)中的结果，使得在围绕集成在器件中的互连金属层(400)的介电材料中通常产生裂纹。本发明通过提供一种包括圆形转角的互连金属层来解决这一问题，这种圆形转角据信能够减少传递到围绕的介电层的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 抵抗 钝化 形成 裂纹 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种改进集成电路中钝化层的整体性的方法，该方法包括：识别集成电路，该集成电路包括：(a)基片，(b)构图的互连层，其具有至少一个形成在所述基片上的转角部分，和(c)形成在所述互连层的至少一个所述转角部分上的钝化层，所述钝化层呈现出在至少一个所述转角部分位置上的裂纹，以及修改构图的掩模层，其用于形成所述的构图互连层，使得用一个或多个曲线形转角部分来替代在呈现出裂纹的钝化层下面的一个或多个转角部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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