[发明专利]使用二氧化碳清洗和/或处理基片的方法和设备无效
| 申请号： | 02822490.6 | 申请日： | 2002-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1586003A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | J·P·德扬;J·P·麦克莱因;M·E·科尔;S·L·沃姆;D·E·布赖纳德 | 申请（专利权）人： | 米歇尔技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B08B7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 崔幼平 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于清洗微电子基片的方法，它包括将基片放入压力腔。使包括密相二氧化碳的处理流体通过腔循环，使得处理流体接触基片。在循环处理流体的步骤的至少一部分期间，循环地调整二氧化碳的相。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 二氧化碳 清洗 处理 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于清洗微电子基片的方法，该方法包括：a)将基片放入压力腔；b)包括密相二氧化碳的处理流体通过腔循环，使得处理流体接触基片；以及c)在循环处理流体的步骤的至少一部分期间，循环地调整二氧化碳的相。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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