[发明专利]具有硅氧烷聚合物界面的有机薄膜晶体管无效

专利信息
申请号: 02822190.7 申请日: 2002-10-23
公开(公告)号: CN1582505A 公开(公告)日: 2005-02-16
发明(设计)人: T·W·凯利;L·D·博德曼;T·D·迪巴;T·D·琼斯;D·V·穆雅斯;M·J·佩莱里特;T·R·史密斯 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: H01L51/20 分类号: H01L51/20;H01L51/30;H01L51/40
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 朱黎明
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供一种有机薄膜晶体管,它包括置于栅极电介体和有机半导体层之间的硅氧烷聚合物层。还提供含薄膜晶体管的集成电路以及薄膜晶体管的制造方法。本发明有机薄膜晶体管在一个或多个晶体管性能方面有所改进。
搜索关键词: 具有 硅氧烷 聚合物 界面 有机 薄膜晶体管
【主权项】:
1.一种有机薄膜晶体管(OTFT),它包括基本无氟的聚合物层,该聚合物层的厚度小于约400埃,穿插在栅极电介体和有机半导体层之间,所述聚合物层包括具有下式共聚合单元的聚合物:其中,各个R分别是选自氢、C1-C20脂族基团、C4-C20脂环基团、芳烷基或芳基及其组合的基团,它可含有一个或多个杂原子和/或一个或多个官能团。
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