[发明专利]蚀刻高长径比零件的方法有效
| 申请号： | 02821737.3 | 申请日： | 2002-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1592954A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | A·莫斯丹;S·海兰;梶本实利 | 申请（专利权）人： | 东京电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种利用改进的蚀刻化学的等离子处理体系和方法，以便有效蚀刻高长径比的硅零件。该工艺化学利用适合于生产氟/氯蚀刻化学的前体以及适合于形成强度足以产生稳定的零件侧壁的化学键的前体气体。该改进工艺化学包括SO2/SF4/SiCl4、SO2/SF4/Cl2、SO2/SiF4/SiCl4、SO2/SiF4/Cl2、O2/F2/Cl2、O2/F2、N2O/F2/Cl2和NO2/F2/Cl2－基化学。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 长径 零件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理基质的方法，该方法包括步骤：提供一种工艺过程气体，该工艺过程气体包括含氧的的第一种气体、含氟的第二种气体和含氯的第三种气体；由该工艺过程气体产生等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
