[发明专利]高电阻率碳化硅单晶体及制造方法有效
| 申请号： | 02821597.4 | 申请日： | 2002-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1592949A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 艾利克山德尔·埃利森;古彦·T·桑;卓恩·麦格纳森;埃里克·简森 | 申请（专利权）人： | 奥克麦蒂克有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供一种高电阻率碳化硅衬底，具有适于后续器件如高频器件制造的电性能和结构质量，以便该器件可以显示出稳定的和线性的特性；以及提供一种高电阻率碳化硅衬底，具有低密度的结构缺陷和基本上受控的均匀径向分布的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 碳化硅 单晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在25℃下具有至少105Ω·cm的电阻率的半绝缘碳化硅单晶体，包含至少一种深能级受主或施主杂质以及一种深能级本征缺陷，其中通过补偿浅施主或浅受主两者之一，深杂质的浓度足以影响晶体的电气性能，但是低于本征深能级的浓度，所述深杂质是受主或施主。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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