[发明专利]用于评价凹陷和/或空穴的产量影响的测试结构和模型无效
| 申请号： | 02821482.X | 申请日： | 2002-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1636274A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | 丹尼斯·J·契普利奇卡斯;布赖恩·E·斯泰恩;费燕文 | 申请（专利权）人： | PDF技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在衬底上形成一种包括测试图形(400)的测试结构。测试图形(400)包括具有多个齿(402)的第一梳形结构(401)，以及第二结构(405)。第二结构(405)可以是具有多个侧壁(406a，406b)的蛇形结构或具有多个侧壁的第二梳形结构。第一梳形结构(401)的齿(402)位于蛇形结构(405)或第二梳形结构的侧壁(406a，406b)中。第一梳形结构(401)的齿(402)偏离侧壁(406a，406b)的中心。分析从测试结构中收集的测试数据，以估计出产品产量。测试结构可以具有下层图形，以便下层图形的表面形状变化传递到测试结构的上层图形。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 评价 凹陷 空穴 产量 影响 测试 结构 模型 | ||
【主权项】：
1.一种测试结构，包含位于衬底上的测试图形，该测试图形包含：蛇形结构，具有多个阱，以及梳形结构，具有位于蛇形结构的阱内的多个齿，其中齿偏离阱的中心。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
