[发明专利]使用衰减相移反射掩膜在半导体晶片上形成图案的方法

摘要

使用一个衰减相移反射掩膜(100)在覆盖一个半导体晶片的一个光刻胶层中形成所需图案。这个掩膜通过顺序地淀积一个衰减相移层(30)、一个缓冲层(40)和一个可修复层(50)所形成。根据所需图案，该可修复层(50)被构图。该可修复层(55)被检查以寻找没有获得所需图案的区域。用该缓冲层(45)保护该衰减相移层(30)，该可修复层(55)被修复以获得所需图案。所需图案被转移到该缓冲层(45)，接着再转移到该被构图的衰减相移层(35)以形成该衰减相移反射掩膜(100)。在该衰减相移反射掩膜(100)上把射线反射到该光刻胶层，用所需图案对该光刻胶层曝光。

主权项

1.一种使用衰减相移反射掩膜对半导体晶片上的第一光刻胶层构图的方法，包括：提供有反射层(20)的掩膜基片(10)；在该反射层(20)上淀积衰减相移层(30)；在该衰减相移层(30)上淀积缓冲层(40)；在该缓冲层(40)上淀积可修复层(50)；在该可修复层(50)上淀积第二光刻胶层(60)；对该第二光刻胶层(60)构图以形成被构图的光刻胶层(60)；使用该被构图的光刻胶层(60)作为第一掩膜，蚀刻该可修复层(50)以形成被构图的可修复层(55)；除去该被构图的光刻胶层(60)；检查并修复该被构图的可修复层(55)以形成被构图的已修复层(55和70)；使用该被构图的已修复层(55和70)作为第二掩膜，蚀刻该缓冲层(40)以形成被构图的缓冲层(45)；除去该被构图的已修复层(55和70)；使用该被构图的缓冲层(45)作为第三掩膜，蚀刻该衰减相移层(30)；除去该被构图的缓冲层(45)以形成该衰减相移反射掩膜(100)；将第一光刻胶(170和180)应用于该半导体晶片(140)；以及在该衰减相移反射掩膜(100)上反射射线到该半导体晶片(140)上的第一光刻胶(170和180)以在该光刻胶上提供已曝光的图案。