[发明专利]其上配置磁阻内存胞元之交叉字符及位线之半导体内存

摘要

在一半导体内存(2)之内存胞元数组中，具有一磁阻效应系藉由一硬磁内存层(10)以及一软磁感应层(11)，其简单的磁性化轴(30，31)相交。硬磁层(10)之磁化轴与其连接的线平行，例如位线(9)，以及磁化轴(31)平行于连接至其的线路。藉由一AC电压(51)或AC电流来源(50)，一电压或电流讯号系被提供至一分别被选择的线，例如字符线(8)。软磁层(11)之磁化方向(21)系因此正弦地从简单磁化轴(31)偏斜。除了被提供的讯号，内存胞元之磁阻电阻亦因此改变。依赖于硬磁层(10)之磁化方向(20)，讯号系被调变为同相或反相藉由可变电阻，因此例如一被作记号的DC电压以及一第一谐波可被侦测作为从结果测量讯号而来的分量。此符号提供内存信息。

主权项

1.一半导体内存(2)具有互相交叉的字符(8)以及位线(9)，在其上配置有磁阻内存胞元(1)，其包含：至少一第一磁性层(10)具有一第一磁化轴(30)，一绝缘层(12)配置在其间，一第二磁性层(11)具有一第二磁化轴(31)，其特征在于-该第一磁性层(10)系由硬铁磁材料形成，且-该第二磁性层(11)系由软铁磁材料形成，以及-该第一(30)以及该第二磁化轴(31)互相交叉，如果他们被投射到一字符(8)以及位线(9)横越的平面。