[发明专利]金属氧化物薄膜及其制造方法无效
| 申请号： | 02819627.9 | 申请日： | 2002-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1564876A | 公开（公告）日： | 2005-01-12 |
| 发明（设计）人： | 福久孝治;中岛章;筱原贤次;渡部俊也;大崎寿;芹川正 | 申请（专利权）人： | 株式会社先端技术培育系统 |
| 主分类号： | C23C8/36 | 分类号： | C23C8/36;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭煜;庞立志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成主要由非晶质构成的金属氧化物膜后，作为后处理，在温度180℃以下，在高频电场中，暴露于低温等离子体中，从而制造结晶性的金属氧化物薄膜的方法；以及采用该方法制造的结晶性金属氧化物薄膜。根据该制造方法，不伴有积极的加热处理，可在低温下在基材上形成致密而均匀的结晶金属氧化物薄膜，因此即使对于耐热性比较低的基材，也不会损害基材的特性，能够形成所需特性的金属氧化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其特征在于，通过使主要由非晶质构成的金属氧化物膜，在温度180℃以下，在高频电场中，暴露于低温等离子体中，制造结晶性的金属氧化物薄膜。
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