[发明专利]等离子体处理装置无效
| 申请号： | 02818449.1 | 申请日： | 2002-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1557017A | 公开（公告）日： | 2004-12-22 |
| 发明（设计）人： | 小野博夫;达下弘一;本田昌伸;永关一也;林大辅 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 磁场形成机构21的各个磁体块22，如图3(a)所示，从各个磁体块22的磁极朝向真空室1侧的状态开始，如图3(b)、图3(c)所示，相邻的磁体块22同步反向转动，所以相隔一个的磁体块22就变成同向转动，可以控制在真空室1内形成的半导体晶圆片W的周围的多极磁场的状态。由此，可以容易地根据等离子体处理工艺的种类适当地控制、设定多极磁场的状态，以便进行良好处理。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，它包括：容纳被处理基板的处理室；设在所述处理室内，在所述被处理基板上产生用于实施规定的等离子体处理的等离子体的机构；和由多个永久磁体组成的磁体块排列构成，设在所述处理室外，在所述处理室内的所述被处理基板的周围形成规定的多极磁场的磁场形成机构，其特征在于，构成为通过改变所述磁体块的相对位置，可以控制在所述处理室内的所述被处理基板周围形成的多极磁场的强度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02818449.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
