[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02817952.8 | 申请日： | 2002-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN1555580A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | 间部谦三;远藤和彦 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/314;H01L21/471 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在具有MIS(金属－绝缘膜－半导体)结构的半导体器件中，在半导体上使用以AL、O、N原子为主体的膜。另外，在具有MIS结构的半导体器件中，在源和漏之间的沟道区上，作为栅绝缘膜而设置以AL、O、N原子为主体的膜。满足栅长为0.05μm等级的半导体晶体管的栅绝缘膜所要求的特性。特别是，不具有膜中的固定电荷，降低了杂质扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，具有MIS(金属-绝缘膜-半导体)结构，其特征在于，所述半导体是以硅为主的膜，所述绝缘膜是以Al、O、N原子为主体的膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02817952.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
