[发明专利]可压力接触的功率半导体模块无效
| 申请号： | 02817647.2 | 申请日： | 2002-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1561543A | 公开（公告）日： | 2005-01-05 |
| 发明（设计）人： | D·施奈德;D·特吕泽尔 | 申请（专利权）人： | ABB瑞士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 一种可压力接触的功率半导体模块，包括基板(1)和盖板(2)。所述的功率半导体模块包括，至少一个半导体器件(3)，其具有第一主端子(31)和与基板(1)导电地连接的第二主端子(32)，还包括至少一个弹性元件(4)，其设置在所述第一主端子(31)和所述盖板(2)之间。第一主端子(31)和盖板(2)之间通过所述弹性元件的内部区域引导一导电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 压力 接触 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
1、一种可压力接触的功率半导体模块，包括一基板(1)，一盖板(2)，至少一个半导体器件(3)，其具有第一主端子(31)和第二主端子(32)，该第二主端子与所述基板(1)导电连接，至少一个弹性元件(4)，其设置在所述第一主端子(31)和所述盖板(2)之间，其特征在于第一主端子(31)和盖板(2)之间的一导电连接件延伸通过所述弹性元件(4)的内部区域。
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